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VS-3C10ET07T-M3

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Solo por referencia

Nº de pieza VS-3C10ET07T-M3
Fabricantes Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Descripción 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 9.141 piece(s)
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Especificaciones VS-3C10ET07T-M3

FabricantesVishay General Semiconductor - Diodes Division
CategoríaProductos semiconductores discretos - Diodos - Rectificadores
- Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de diodoSiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Corriente - promedio rectificado (Io)10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si1.5 V @ 10 A
VelocidadNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr55 µA @ 650 V
Capacitancia @ Vr, F445pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete / cajaTO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220AC
Temperatura de funcionamiento - unión-55°C ~ 175°C

VS-3C10ET07T-M3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

VS-3C10ET07T-M3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that VS-3C10ET07T-M3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the VS-3C10ET07T-M3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including VS-3C10ET07T-M3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of VS-3C10ET07T-M3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the VS-3C10ET07T-M3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of VS-3C10ET07T-M3?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of VS-3C10ET07T-M3.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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