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UPA2821T1L-E1-AT

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Solo por referencia

Nº de pieza UPA2821T1L-E1-AT
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON
Hoja de datos

UPA2821T1L-E1-AT Hoja de datos

Paquete 8-PowerWDFN
ECAD
En existencias 4.384 piece(s)
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Especificaciones UPA2821T1L-E1-AT

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-PowerWDFN
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C26A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2490pF @ 10V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 26A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-HWSON (3.3x3.3)
Paquete / caja8-PowerWDFN

ficha técnica UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA2821T1L-E1-AT is from the original manufacturer or authorized agents?
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