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UPA1809GR-9JG-E2-A

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Solo por referencia

Nº de pieza UPA1809GR-9JG-E2-A
Fabricantes Renesas Electronics Corporation
Descripción MOSFET N-CH 30V 8A 8TSSOP
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones UPA1809GR-9JG-E2-A

FabricantesRenesas Electronics Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds520 pF @ 10 V
Vgs (Max)-
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento-
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-TSSOP
Paquete / caja8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

UPA1809GR-9JG-E2-A Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA1809GR-9JG-E2-A is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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