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TSM018NB03CR-RLG

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Solo por referencia

Nº de pieza TSM018NB03CR-RLG
Fabricantes Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 14.910 piece(s)
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Especificaciones TSM018NB03CR-RLG

FabricantesTaiwan Semiconductor Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C29A (Ta), 194A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds7252 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.1W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 29A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-PDFN (5x6)
Paquete / caja8-PowerTDFN

TSM018NB03CR-RLG Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that TSM018NB03CR-RLG is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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