| Nº de pieza | TK7J90E,S1E |
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| Fabricantes | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción | MOSFET N-CH 900V TO-3PN |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| En existencias | 6.252 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | ene 2 - ene 7 (Elija envío expedito) |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | ��-MOSVIII |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P(N) |
| Paquete / caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
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402F48022IJT | CTS-Frequency Controls, CRYSTAL 48.0000MHZ 9PF SMD, 4-SMD, No Lead, ��-MOSVIII | Ver |
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1825Y0100472JCR | Knowles Syfer, CAP CER 4700PF 10V C0G/NP0 1825, 1825 (4564 Metric), ��-MOSVIII | Ver |
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C320C621K3G5TA | KEMET, CAP CER RAD 620PF 25V C0G 10%, -, ��-MOSVIII | Ver |
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MBR20H200CT C0G | TSC America Inc., DIODE, SCHOTTKY, STANDARD, 20A,, TO-220-3, ��-MOSVIII | Ver |
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8N3DV85LC-0054CDI | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO DUAL FREQ 6-CLCC, 6-CLCC, ��-MOSVIII | Ver |
 
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SA75A-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 75VWM 121VC DO204AC, DO-204AC, DO-15, Axial, ��-MOSVIII | Ver |
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CFPB-1CC-4W9W | Copal Electronics Inc., SWITCH PUSH SPST-NO 1MA 20V, -, ��-MOSVIII | Ver |
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BCS-128-L-D-TE-052 | Samtec Inc., BOX CONNECTOR SOCKET STRIP, -, ��-MOSVIII | Ver |
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ESQT-117-02-L-S-675 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, ��-MOSVIII | Ver |
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FTE-185-01-G-DV-A | Samtec Inc., .8MM MICRO TERMINAL STRIP, -, ��-MOSVIII | Ver |
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GCB20DYFD | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 40POS 0.050, -, ��-MOSVIII | Ver |
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MC74VHC1G08EDFT2G | ON Semiconductor, SINGLE 2-INPUT AND GATE, 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, ��-MOSVIII | Ver |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# V36:1790_13896206 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# TK7J90E,S1E |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin TO-3P(N) - Rail/Tube (Alt: TK7J90E,S1E) RoHS: Compliant
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E(S D# TK7J90E,S1E(S |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin TO-3P(N) Tube (Alt: TK7J90E,S1E(S) |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# C1S751200963065 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Bulk
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23 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# TK7J90ES1E-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P |
17 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90ES1E |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
63 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# 757-TK7J90ES1E |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN RoHS: Compliant
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108 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90ES1E |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
118 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN pbFree: Pb-Free
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0 |
TK7J90ES1E |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET MOSFET TRAN TO-3PN(OS) pbFree: Pb-Free
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0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
TK7J90E,S1E D# 53159472 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube RoHS: Compliant
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0 |
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