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TK2P60D(TE16L1,NQ)

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TK2P60D(TE16L1,NQ)

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Nº de pieza TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricantes Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Hoja de datos
Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 2.160 piece(s)
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Especificaciones TK2P60D(TE16L1,NQ)

FabricantesToshiba Semiconductor and Storage
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds280pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 Ohm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPW-MOLD
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK2P60D(TE16L1,NQ) Packaging

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Sealing
Packing
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TK2P60D(TE16L1,NQ) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK2P60D(TE16L1,NQ) is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R

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D# TK2P60D(TE16L1,NQ)

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R - Tape and Reel (Alt: TK2P60D(TE16L1,NQ))

RoHS: Compliant
 0
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D# TK2P60D(TE16L1NQ)-ND

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MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

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MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm

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