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TK16J60W,S1VQ

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Nº de pieza TK16J60W,S1VQ
Fabricantes Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
Hoja de datos
Paquete TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En existencias 6.276 piece(s)
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Especificaciones TK16J60W,S1VQ

FabricantesToshiba Semiconductor and Storage
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C15.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 790µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 300V
Vgs (Max)±30V
Característica FETSuper Junction
Disipación de potencia (Máx)130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-3P(N)
Paquete / cajaTO-3P-3, SC-65-3

TK16J60W,S1VQ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TK16J60W,S1VQ FAQ

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  • 3. Are the TK16J60W,S1VQ price and inventory displayed accurate?
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D# V99:2348_13896123

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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D# TK16J60W,S1VQ

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N 600V 15.8A 3-Pin SC-65 Tube - Rail/Tube (Alt: TK16J60W,S1VQ)

RoHS: Compliant
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RoHS: Compliant
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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P

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89
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TK16J60W,S1VQ(O

D# 8912917

Toshiba America Electronic Components

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-3P Toshiba TK16J60W,S1VQ(O, EA

Min Qty: 1
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Toshiba America Electronic Components

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