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TK100L60W,VQ

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Nº de pieza TK100L60W,VQ
Fabricantes Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Hoja de datos
Paquete TO-3PL
ECAD
En existencias 7.476 piece(s)
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Especificaciones TK100L60W,VQ

FabricantesToshiba Semiconductor and Storage
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-3PL
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C100A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs360nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds15000pF @ 30V
Vgs (Max)±30V
Característica FETSuper Junction
Disipación de potencia (Máx)797W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-3P(L)
Paquete / cajaTO-3PL

TK100L60W,VQ Packaging

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Packing
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TK100L60W,VQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK100L60W,VQ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK100L60W,VQ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK100L60W,VQ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK100L60W,VQ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A Tray

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D# TK100L60W,VQ

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