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STW70N65DM6

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Nº de pieza STW70N65DM6
Fabricantes STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 650V 68A TO247
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones STW70N65DM6

FabricantesSTMicroelectronics
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieMDmesh™ DM6
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C68A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds4900 pF @ 100 V
Vgs (Max)±25V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 34A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247-3
Paquete / cajaTO-247-3

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Sealing
Packing
Insepction

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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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