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STW68N65DM6-4AG

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Solo por referencia

Nº de pieza STW68N65DM6-4AG
Fabricantes STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 1.788 piece(s)
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Especificaciones STW68N65DM6-4AG

FabricantesSTMicroelectronics
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieMDmesh™
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C72A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds5900 pF @ 100 V
Vgs (Max)±25V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 36A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-247-4
Paquete / cajaTO-247-4

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Sealing
Packing
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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW68N65DM6-4AG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW68N65DM6-4AG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW68N65DM6-4AG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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