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SSM6J53FE(TE85L,F)

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SSM6J53FE(TE85L,F)

Solo por referencia

Nº de pieza SSM6J53FE(TE85L,F)
Fabricantes Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Hoja de datos

SSM6J53FE(TE85L,F) Hoja de datos

Paquete SOT-563, SOT-666
ECAD
En existencias 6.240 piece(s)
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Especificaciones SSM6J53FE(TE85L,F)

FabricantesToshiba Semiconductor and Storage
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C1.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.5V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds568pF @ 10V
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs136 mOhm @ 1A, 2.5V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorES6 (1.6x1.6)
Paquete / cajaSOT-563, SOT-666

ficha técnica SSM6J53FE(TE85L,F)

SSM6J53FE(TE85L,F) Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that SSM6J53FE(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4712
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