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SSM6J501NU,LF

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Nº de pieza SSM6J501NU,LF
Fabricantes Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Hoja de datos
Paquete 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
En existencias 100.902 piece(s)
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Especificaciones SSM6J501NU,LF

FabricantesToshiba Semiconductor and Storage
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-WDFN Exposed Pad
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs29.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 10V
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor6-UDFNB (2x2)
Paquete / caja6-WDFN Exposed Pad

SSM6J501NU,LF Packaging

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Packing
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SSM6J501NU,LF FAQ

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  • 3. Are the SSM6J501NU,LF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R

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PB-FREE TRANSISTORS SMALL-SIGNAL MOS FETS(SINGLE) - Tape and Reel (Alt: SSM6J501NU,LF)

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN (Alt: SSM6J501NU,LF(T)

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MOSFET

Min Qty: 5
Container: Cut Tape
 2960
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D# SSM6J501NULFCT-ND

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MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB

 22666
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MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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MOSFET P-CHANNEL MOSFET (LF) TRANSIST

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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

RoHS: Compliant
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RFQ

 6823
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Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

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