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Nº de pieza | SQD23N06-31L_GE3 |
---|---|
Fabricantes | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 23A TO252 |
Hoja de datos | |
Paquete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ECAD | |
En existencias | 4.144 piece(s) |
Precio unitario | Request a Quote |
Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
Tiempo estimado de entrega | nov 25 - nov 30 (Elija envío expedito) |
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Métodos de pago | |
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Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 D# V36:1790_09219196 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK RoHS: Compliant
|
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L_GE3 D# SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L-GE3) |
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L_GE3 D# SQD23N06-31L_GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: SQD23N06-31L_GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 531 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET,N CH,W DIODE,60V,23A,TO-252 |
808 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N0631LGE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 RoHS: Compliant
|
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L_GE3 D# SQD23N06-31L_GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 23A TO252 |
662 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
10260 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 D# 1869906 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,W DIODE,60V,23A,TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N0631LGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2380 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
2000 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 D# NS-SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9833 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 23A I(D), 60V, 0.031OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252 |
59 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N0631LGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
4137 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
2015 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQD23N06-31L_GE3 pbFree: Pb-Free
|
0 |
Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SQD23N06-31L-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
68003 |
El compromiso de Heisener con la calidad ha dado forma a nuestros procesos de abastecimiento, prueba, envío y cada paso intermedio. Esta base subyace en cada componente que vendemos.
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