| Nº de pieza | SPP80N06S2-H5 |
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| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Hoja de datos | |
| Paquete | TO-220-3 |
| ECAD |
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| En existencias | 7.440 piece(s) |
| Precio unitario | Request a Quote |
| Plazo de ejecución | Para ser confirmado |
| Tiempo estimado de entrega | feb 26 - mar 3 (Elija envío expedito) |
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| Métodos de pago | |
| Servicios de entrega |
| Fabricantes | Infineon Technologies |
| Categoría | Productos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Paquete | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
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| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SPP80N06S2-H5 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SPP80N06S2-H5 D# SPP80N06S2-H5-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
0 |
| Nº de pieza | Fabricantes | Descripción | En existencias |
SPP80N06S2-H5 D# NS-SPP80N06S2-H5 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
6149 |
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