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SPP11N65C3XKSA1

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SPP11N65C3XKSA1

Solo por referencia

Nº de pieza SPP11N65C3XKSA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Hoja de datos

SPP11N65C3XKSA1 Hoja de datos

Paquete TO-220-3
ECAD
En existencias 6.032 piece(s)
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Especificaciones SPP11N65C3XKSA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-220-3
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO220-3-1
Paquete / cajaTO-220-3

ficha técnica SPP11N65C3XKSA1

SPP11N65C3XKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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Infineon Technologies AG

COOL MOS - Rail/Tube

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D# SPP11N65C3XKSA1-ND

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MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

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D# 2726086

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MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-220-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-220-3

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