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SI7434DP-T1-GE3

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SI7434DP-T1-GE3

Solo por referencia

Nº de pieza SI7434DP-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Hoja de datos
Paquete PowerPAK? SO-8
ECAD
En existencias 2.736 piece(s)
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Especificaciones SI7434DP-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaquetePowerPAK? SO-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs155 mOhm @ 3.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPowerPAK? SO-8
Paquete / cajaPowerPAK? SO-8

SI7434DP-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI7434DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7434DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI7434DP-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI7434DP-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI7434DP-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI7434DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7434DP-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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D# SI7434DP-T1-GE3

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Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7434DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant
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MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

15000
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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D# SI7434DP-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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3570
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MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:3.8A, On Resistance Rds(on):0.129ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:6V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
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MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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