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SI4778DY-T1-E3

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SI4778DY-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI4778DY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4778DY-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 1.137.876 piece(s)
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Especificaciones SI4778DY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 13V
Vgs (Max)±16V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4778DY-T1-E3

SI4778DY-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4778DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4778DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4778DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4778DY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# SI4778DY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

1559
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D# NS-SI4778DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Huntington

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