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SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Solo por referencia

Nº de pieza SI4466DY-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4466DY-T1-GE3 Hoja de datos

Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 3.792 piece(s)
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Especificaciones SI4466DY-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C9.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4466DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4466DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4466DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4466DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4466DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4466DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4466DY-T1-GE3?
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MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO

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