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SI4435BDY-T1-E3

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SI4435BDY-T1-E3

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Nº de pieza SI4435BDY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Hoja de datos

SI4435BDY-T1-E3 Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 1.734.948 piece(s)
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Especificaciones SI4435BDY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 9.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4435BDY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4435BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4435BDY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4435BDY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4435BDY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4435BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4435BDY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET P-CH 30V 7A 8SO

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