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SI4176DY-T1-E3

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SI4176DY-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI4176DY-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Hoja de datos

SI4176DY-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 5.344 piece(s)
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Especificaciones SI4176DY-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C12A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 8.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ficha técnica SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4176DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4176DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4176DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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