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SI3454CDV-T1-E3

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SI3454CDV-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI3454CDV-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
Hoja de datos

SI3454CDV-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
En existencias 3.952 piece(s)
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Especificaciones SI3454CDV-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C4.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds305pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.25W (Ta), 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor6-TSOP
Paquete / cajaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

ficha técnica SI3454CDV-T1-E3

SI3454CDV-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI3454CDV-T1-E3 FAQ

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  • 3. Are the SI3454CDV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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