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SI2321DS-T1-E3

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SI2321DS-T1-E3

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Nº de pieza SI2321DS-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Hoja de datos

SI2321DS-T1-E3 Hoja de datos
Paquete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
En existencias 288.600 piece(s)
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Especificaciones SI2321DS-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.9A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6V
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSOT-23-3 (TO-236)
Paquete / cajaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ficha técnica SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI2321DS-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2321DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2321DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2321DS-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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