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SI1958DH-T1-E3

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SI1958DH-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1958DH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Hoja de datos

SI1958DH-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 220.452 piece(s)
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Especificaciones SI1958DH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds105pF @ 10V
Potencia - Max1.25W
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)

ficha técnica SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI1958DH-T1-E3 FAQ

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  • 3. Are the SI1958DH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1958DH-T1-E3?
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