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SI1917EDH-T1-E3

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SI1917EDH-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1917EDH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Hoja de datos

SI1917EDH-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 300.924 piece(s)
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Especificaciones SI1917EDH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FET2 P-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs370 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 100µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potencia - Max570mW
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)

ficha técnica SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI1917EDH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1917EDH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1917EDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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