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SI1912EDH-T1-E3

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SI1912EDH-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1912EDH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Hoja de datos

SI1912EDH-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 1.026.972 piece(s)
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Especificaciones SI1912EDH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C1.13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 100µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potencia - Max570mW
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)

ficha técnica SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI1912EDH-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI1912EDH-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI1912EDH-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI1912EDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363

RoHS: Not Compliant
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3887
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R

75000
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MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

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MOSFET, NN CH, 20V, SOT363

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