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SI1419DH-T1-E3

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SI1419DH-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1419DH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
Hoja de datos

SI1419DH-T1-E3 Hoja de datos

Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 6.800 piece(s)
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Especificaciones SI1419DH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C300mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 400mA, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ficha técnica SI1419DH-T1-E3

SI1419DH-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1419DH-T1-E3 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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Vishay Intertechnologies

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6

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D# 09X6420

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CHANNEL, -200V, -0.3A, SOT-363-6, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:300mA, On Resistance Rds(on):3.98ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:4.5VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
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