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SI1405BDH-T1-E3

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SI1405BDH-T1-E3

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Nº de pieza SI1405BDH-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363
Hoja de datos

SI1405BDH-T1-E3 Hoja de datos
Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Especificaciones SI1405BDH-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C1.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds305pF @ 4V
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ficha técnica SI1405BDH-T1-E3

SI1405BDH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1405BDH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1405BDH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1405BDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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