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SI1403CDL-T1-GE3

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Nº de pieza SI1403CDL-T1-GE3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
Hoja de datos

SI1403CDL-T1-GE3 Hoja de datos
Paquete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En existencias 434.412 piece(s)
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Especificaciones SI1403CDL-T1-GE3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C2.1A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds281pF @ 10V
Vgs (Max)±12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)600mW (Ta), 900mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-70-6 (SOT-363)
Paquete / caja6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ficha técnica SI1403CDL-T1-GE3

SI1403CDL-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI1403CDL-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1403CDL-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1403CDL-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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 2601
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