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SI1070X-T1-E3

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SI1070X-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1070X-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Hoja de datos

SI1070X-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-563, SOT-666
ECAD
En existencias 11.748 piece(s)
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Especificaciones SI1070X-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C-
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.55V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds385pF @ 15V
Vgs (Max)±12V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-6
Paquete / cajaSOT-563, SOT-666

ficha técnica SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1070X-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1070X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1070X-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1070X-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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3570
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