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SI1039X-T1-E3

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SI1039X-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1039X-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
Hoja de datos

SI1039X-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-563, SOT-666
ECAD
En existencias 247.464 piece(s)
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Especificaciones SI1039X-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C870mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±8V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-6
Paquete / cajaSOT-563, SOT-666

ficha técnica SI1039X-T1-E3

SI1039X-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1039X-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1039X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1039X-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1039X-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET- LEAD

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MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6

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Vishay Siliconix

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