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SI1024X-T1-E3

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SI1024X-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1024X-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
Hoja de datos

SI1024X-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SOT-563, SOT-666
ECAD
En existencias 2.800.284 piece(s)
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Especificaciones SI1024X-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
PaqueteSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETLogic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Potencia - Max250mW
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / cajaSOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-6

ficha técnica SI1024X-T1-E3

SI1024X-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1024X-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1024X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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Dual N-Channel 20 V 0.7 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-563

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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
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D# SI1024X-T1-E3TR-ND

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MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

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