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SI1012X-T1-E3

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SI1012X-T1-E3

Solo por referencia

Nº de pieza SI1012X-T1-E3
Fabricantes Vishay Siliconix
Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Hoja de datos

SI1012X-T1-E3 Hoja de datos

Paquete SC-89, SOT-490
ECAD
En existencias 930.588 piece(s)
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Especificaciones SI1012X-T1-E3

FabricantesVishay Siliconix
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteSC-89, SOT-490
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C500mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±6V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorSC-89-3
Paquete / cajaSC-89, SOT-490

ficha técnica SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI1012X-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1012X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1012X-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1012X-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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