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SCTH100N65G2-7AG

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Solo por referencia

Nº de pieza SCTH100N65G2-7AG
Fabricantes STMicroelectronics
Descripción SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones SCTH100N65G2-7AG

FabricantesSTMicroelectronics
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaSiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C95A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs162 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3315 pF @ 520 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 50A, 18V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorH2PAK-7
Paquete / cajaTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

SCTH100N65G2-7AG Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SCTH100N65G2-7AG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SCTH100N65G2-7AG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SCTH100N65G2-7AG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SCTH100N65G2-7AG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (1)Inform us within 90 days
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