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R6511KNXC7G

R6511KNXC7G

R6511KNXC7G

Solo por referencia

Nº de pieza R6511KNXC7G
Fabricantes Rohm Semiconductor
Descripción 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 11.952 piece(s)
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Especificaciones R6511KNXC7G

FabricantesRohm Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 320µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 3.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220FM
Paquete / cajaTO-220-3 Full Pack

R6511KNXC7G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

R6511KNXC7G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that R6511KNXC7G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the R6511KNXC7G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including R6511KNXC7G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of R6511KNXC7G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the R6511KNXC7G price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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