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PJMP390N65EC_T0_00001

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Solo por referencia

Nº de pieza PJMP390N65EC_T0_00001
Fabricantes Panjit International Inc.
Descripción 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 5.988 piece(s)
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Especificaciones PJMP390N65EC_T0_00001

FabricantesPanjit International Inc.
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds726 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)87.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-220AB-L
Paquete / cajaTO-220-3

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Sealing
Packing
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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