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NTMS4935NR2G

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NTMS4935NR2G

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Nº de pieza NTMS4935NR2G
Fabricantes ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 363.312 piece(s)
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Especificaciones NTMS4935NR2G

FabricantesON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs52.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3639pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)810mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1 mOhm @ 7.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOIC
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMS4935NR2G Packaging

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Sealing
Packing
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NTMS4935NR2G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTMS4935NR2G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTMS4935NR2G price and inventory displayed accurate?
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 ON Semiconductor

- Bulk (Alt: NTMS4935NR2G)

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 ON Semiconductor

Power MOSFET 30 V, 16 A, N-Channel, SO-8

 1600
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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 Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

 198360
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 VBsemi Electronics Co Ltd

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 19245
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 Rochester Electronics LLC

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 238032
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 200
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 ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

 1865
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 ON Semiconductor

Small Signal Field-Effect Transistor, 10A, 30V, N-Channel MOSFET

RoHS: Compliant
 198360
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 ON Semiconductor

IN stock Immediate delivery

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