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NTMS4176PR2G

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Nº de pieza NTMS4176PR2G
Fabricantes ON Semiconductor
Descripción MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Hoja de datos
Paquete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En existencias 937.548 piece(s)
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Especificaciones NTMS4176PR2G

FabricantesON Semiconductor
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C5.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1720pF @ 24V
Vgs (Max)±25V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)810mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 9.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-SOIC
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMS4176PR2G Packaging

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Sealing
Packing
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NTMS4176PR2G FAQ

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  • 3. Are the NTMS4176PR2G price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Power MOSFET

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VBsemi Electronics Co Ltd

SO-8 MOSFET RoHS

72
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MOSFET P-CH 30V 5.5A 8SOIC

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4865
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6
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Murata Manufacturing Co Ltd

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mfr

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8410
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC

1670

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