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NP90N04VDG-E1-AY

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Solo por referencia

Nº de pieza NP90N04VDG-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics Corporation
Descripción MOSFET N-CH 40V 90A TO252
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones NP90N04VDG-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)-
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs135 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds6900 pF @ 25 V
Vgs (Max)-
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 45A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-252
Paquete / cajaTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

NP90N04VDG-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that NP90N04VDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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