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NP50P06KDG-E1-AY

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NP50P06KDG-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza NP50P06KDG-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
Hoja de datos

NP50P06KDG-E1-AY Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 5.440 piece(s)
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Especificaciones NP50P06KDG-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds5000pF @ 10V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.8W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-263
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica NP50P06KDG-E1-AY

NP50P06KDG-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP50P06KDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP50P06KDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP50P06KDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R (Alt: NP50P06KDG-E1-AY)

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NP50P06KDG Series P-Channel 60 V 17 mOhm 95 nC Switching MosFet - TO-263

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MOSFET P-CH 60V 50A TO263

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