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NP33N06YDG-E1-AY

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NP33N06YDG-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza NP33N06YDG-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Hoja de datos

NP33N06YDG-E1-AY Hoja de datos

Paquete 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
En existencias 5.312 piece(s)
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Especificaciones NP33N06YDG-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C33A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta), 97W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 16.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-HSON
Paquete / caja8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

ficha técnica NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NP33N06YDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP33N06YDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin HSON T/R (Alt: NP33N06YDG-E1-AY)

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

SINGLE MOSFET, NCH, 60V, HSON8 - Tape and Reel

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

NP33N06YDG-E1-AY

D# NP33N06YDG-E1-AYTR-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# NS-NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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