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NP29N06QDK-E1-AY

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Solo por referencia

Nº de pieza NP29N06QDK-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics Corporation
Descripción MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 14.820 piece(s)
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Especificaciones NP29N06QDK-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETMOSFET (Metal Oxide)
Característica FET-
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Potencia - Max1W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento175°C
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja8-PowerLDFN
Paquete de dispositivo del proveedor8-HSON (5x5.4)

NP29N06QDK-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NP29N06QDK-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP29N06QDK-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NP29N06QDK-E1-AY. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NP29N06QDK-E1-AY on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NP29N06QDK-E1-AY products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NP29N06QDK-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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