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NP23N06YDG-E1-AY

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NP23N06YDG-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza NP23N06YDG-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Hoja de datos

NP23N06YDG-E1-AY Hoja de datos

Paquete 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
En existencias 21.600 piece(s)
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Especificaciones NP23N06YDG-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C23A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 11.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-HSON
Paquete / caja8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

ficha técnica NP23N06YDG-E1-AY

NP23N06YDG-E1-AY Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NP23N06YDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP23N06YDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NP23N06YDG-E1-AY. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NP23N06YDG-E1-AY on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NP23N06YDG-E1-AY products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin HSON T/R (Alt: NP23N06YDG-E1-AY)

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

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MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

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