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NP180N055TUJ-E1-AY

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NP180N055TUJ-E1-AY

Solo por referencia

Nº de pieza NP180N055TUJ-E1-AY
Fabricantes Renesas Electronics America
Descripción MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
Hoja de datos

NP180N055TUJ-E1-AY Hoja de datos

Paquete TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
En existencias 5.712 piece(s)
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Especificaciones NP180N055TUJ-E1-AY

FabricantesRenesas Electronics America
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs230nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds14250pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)1.8W (Ta), 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-263-7
Paquete / cajaTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

ficha técnica NP180N055TUJ-E1-AY

NP180N055TUJ-E1-AY Packaging

Customized Labels
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Packing
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NP180N055TUJ-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP180N055TUJ-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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