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JAN2N6796

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Nº de pieza JAN2N6796
Fabricantes Microsemi Corporation
Descripción MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Hoja de datos
Paquete TO-205AF Metal Can
ECAD
En existencias 12.900 piece(s)
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Especificaciones JAN2N6796

FabricantesMicrosemi Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-205AF Metal Can
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/557
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs28.51nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs195 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-39
Paquete / cajaTO-205AF Metal Can

JAN2N6796 Packaging

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Sealing
Packing
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JAN2N6796 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that JAN2N6796 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the JAN2N6796 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of JAN2N6796?
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 18-LCC

0

JAN2N6796U

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 18-LCC

0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# JAN2N6796-ND

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 100V 8A TO39

0

JAN2N6796U

D# JAN2N6796U-ND

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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

JAN2N6796

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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

JAN2N6796

D# NS-JAN2N6796

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JAN2N6796U

D# NS-JAN2N6796U

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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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