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IRF3808STRRPBF

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Nº de pieza IRF3808STRRPBF
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Hoja de datos

IRF3808STRRPBF Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 240.000 piece(s)
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Especificaciones IRF3808STRRPBF

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C106A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds5310pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 82A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorD2PAK
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IRF3808STRRPBF

IRF3808STRRPBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF3808STRRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF3808STRRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF3808STRRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF3808STRRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF3808STRRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF3808STRRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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