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IRF3711STRLPBF

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Solo por referencia

Nº de pieza IRF3711STRLPBF
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Hoja de datos

IRF3711STRLPBF Hoja de datos

Paquete TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En existencias 117.240 piece(s)
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Especificaciones IRF3711STRLPBF

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C110A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2980pF @ 10V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.1W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorD2PAK
Paquete / cajaTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ficha técnica IRF3711STRLPBF

IRF3711STRLPBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF3711STRLPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF3711STRLPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF3711STRLPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF3711STRLPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF3711STRLPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF3711STRLPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF3711STRLPBF?
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 20V, 0.006OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

10
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