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IPTG018N10NM5ATMA1

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Solo por referencia

Nº de pieza IPTG018N10NM5ATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 5.400 piece(s)
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Especificaciones IPTG018N10NM5ATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieOptiMOS™
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C32A (Ta), 273A Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 202µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.8W (Ta), 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 150A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-HSOG-8-1
Paquete / caja8-PowerSMD, Gull Wing

IPTG018N10NM5ATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPTG018N10NM5ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPTG018N10NM5ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPTG018N10NM5ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPTG018N10NM5ATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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