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IPTG014N10NM5ATMA1

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Solo por referencia

Nº de pieza IPTG014N10NM5ATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 2.289 piece(s)
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Especificaciones IPTG014N10NM5ATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
SerieOptiMOS™ 5
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C37A (Ta), 366A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 280µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs211 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 150A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-HSOG-8-1
Paquete / caja8-PowerSMD, Gull Wing

IPTG014N10NM5ATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPTG014N10NM5ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPTG014N10NM5ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPTG014N10NM5ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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