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IPD30N12S3L31ATMA2

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Nº de pieza IPD30N12S3L31ATMA2
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET_(120V 300V)
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Paquete -
ECAD
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Especificaciones IPD30N12S3L31ATMA2

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)120 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 29µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1970 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO252-3-11
Paquete / cajaTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N12S3L31ATMA2 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD30N12S3L31ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as IPD30N12S3L31ATMA2 pin diagram, IPD30N12S3L31ATMA2 datasheet?
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