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IPD122N10N3GATMA1

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IPD122N10N3GATMA1

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Nº de pieza IPD122N10N3GATMA1
Fabricantes Infineon Technologies
Descripción MOSFET N-CH 100V 59A
Hoja de datos

IPD122N10N3GATMA1 Hoja de datos
Paquete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En existencias 146.892 piece(s)
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Especificaciones IPD122N10N3GATMA1

FabricantesInfineon Technologies
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
PaqueteTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C59A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.2 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO252-3
Paquete / cajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ficha técnica IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Packaging

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IPD122N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD122N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD122N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD122N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD122N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD122N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD122N10N3GATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# V72:2272_15966271

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 85X6027)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# SP001127828

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001127828)

RoHS: Compliant
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

104
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# C1S322000300079

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1358
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

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D# IPD122N10N3GATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

 6876
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# 2443393RL

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 59A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 69600
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

In Stock

 104
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 88720
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# 726-IPD122N10N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH >=100V

RoHS: Compliant
 4030
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 59A, 175DEG C, 94W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:59A, On Resistance Rds(on):0.0105ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Nº de pieza Fabricantes Descripción En existencias

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 614
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 Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

 88705
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D# 43704312

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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